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状态字寄存器包含运算标志，结果标志。
指令执行以后可能会影响STATUS寄存器的Z、DC 、C标志位，则不能直接对这三个标志位进行写操作，这些标志位的设置由MCU的逻
辑自动完成。同时，TO 和 PD 位也是不能通过指令直接改变写操作。因此，与STATUS作为目标寄存器的指令后，结果可能会与预期
的不同。例如:运行CLRR STATUS将把STATUS 的高三位置零和Z标志位置1 同时该寄存器的内容如下
C :进位标志
ADDAR， ADDIA
= 1，有进位
= 0，无进位
SUBAR， SUBIA
= 1，无借位
= 0，有借位
注释 : 减法是通过将2的补*二个操作数的执行。旋转（RRR，RLR）指令，该位装载高或低位源寄存器位。
DC :进位/借位标志.(低四位向高四位进位/借位标志)
ADDAR， ADDIA
= 1， 底4位有进位
= 0， 底4位无进位
SUBAR， SUBIA
= 1， 底4位无借位
= 0， 底4位有借位
Z : 零标志位
= 1， 算术或逻辑运算结果为“0”时
= 0， 算术或逻辑运算结果不为“0”时
/PD :系统休眠标志位
= 1， 当系统上电时或执行“CLRWDT”指令后
= 0， 当执行“SLEEP”指令后
/TO :溢出标志位
= 1， 当系统上电时或执行“CLRWDT”或SLEEP指令后
= 0，定时器溢出
LVDF:高精度LVD标志位
= 1，VDD低于高精度LVD电压检测点
= 0，VDD**高精度LVD电压检测点
GP1 :通用寄存器读/写位
RST :定义系统复位类型位.
= 1， 唤醒SLEEP或Port B脚位变化唤醒SLEEP
= 0， 其他类型唤醒SLEEP.
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